TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30.8A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 86 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3000 pF @ 300 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 4-DFN-EP (8x8)
Paquete/Caja: 4-VSFN Exposed Pad
Número de producto base: TK31V60