TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 200µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (máx.): +20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1580 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Número de producto base: TPC8132