SSM6K514NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 12A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1110 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-UDFNB (2x2)
Paquete/Caja: 6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base: SSM6K514