TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVIII-H
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 45A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.3V @ 300µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2100 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: TPN2R703