TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 87A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 200µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2700 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP Advance (5x5)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: TPH6R004