STD80N6F7 STMicroelectronics FET individuales MOSFET

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: STripFET??F7
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1600 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D-PAK (TO-252)
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: STD80