STL19N60M2 STMicroelectronics FET individuales MOSFET

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??M2
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 791 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerFlat??(8x8) HV
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: STL19