SCTWA50N120 STMicroelectronics FET individuales MOSFET

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 65A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 122 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1900 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 318W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: HiP247??