STH12N120K5-2 STMicroelectronics FET individuales MOSFET

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??K5
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 12A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1370 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: H2Pak-2
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: STH12