STI45N10F7 STMicroelectronics FET individuales MOSFET

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: DeepGATE?? STripFET??VII
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 45A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1640 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I2PAK (TO-262)
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de producto base: STI45N