NTTFS4824NTAG onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 11.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2363 pF @ 12 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete/Caja: 8-PowerWDFN
Número de producto base: NTTFS4824