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RJK5033DPD-00#J2 Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 600 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: MP-3A
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: RJK5033

Datasheet

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