NTB082N65S3F onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: SuperFET® III
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 4mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 81 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3410 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D²PAK (TO-263)
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: NTB082