NTS2101PT1G onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.4A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 640 pF @ 8 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 290mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-70-3 (SOT323)
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Número de producto base: NTS2101