RFD3055LE onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 350 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I-PAK
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base: RFD3055