NVMTS0D4N04CTXG onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 251 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 16500 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 5W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: NVMTS0