NP33N06YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 33A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 78 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3900 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta), 97W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-HSON
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Número de producto base: NP33N06