FQB7P20TM-F085 onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: QFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 770 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.13W (Ta), 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D²PAK (TO-263)
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: FQB7P20