FDP047AN08A0-F102 onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 15A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): ±20V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: FDP047