NTJS3151PT1G onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 850 pF @ 12 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 625mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base: NTJS3151