ECH8308-TL-H onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2300 pF @ 6 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-ECH
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead
Número de producto base: ECH8308