FQPF33N10 onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: QFET®
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 18A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 51 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1500 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220F-3
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Número de producto base: FQPF3