PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc. FET individuales MOSFET

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4327 pF @ 12 V
Característica FET: Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.): 172W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK56, Power-SO8
Paquete/Caja: SC-100, SOT-669
Número de producto base: PSMN1R2