PMFPB8032XP,115 Nexperia USA Inc. FET individuales MOSFET

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 550 pF @ 10 V
Característica FET: Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.): 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-HUSON (2x2)
Paquete/Caja: 6-UFDFN Exposed Pad
Número de producto base: PMFPB8032