2N7002PW,115 Nexperia USA Inc. FET individuales MOSFET

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 310mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 50 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 260mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q100
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-323
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Número de producto base: 2N7002