IXTP6N100D2 IXYS FET individuales MOSFET

Fabricante: IXYS
Serie: Depletion
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): -
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 95 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2650 pF @ 25 V
Característica FET: Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.): 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: IXTP6