IXTY1R4N120P IXYS FET individuales MOSFET

Fabricante: IXYS
Serie: Polar
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 100µA
Vgs (máx.): ±20V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252AA
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: IXTY1