IXFY36N20X3 IXYS FET individuales MOSFET

Fabricante: IXYS
Serie: HiPerFET?? Ultra X3
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 36A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 500µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1425 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252AA
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: IXFY36