IXFP6N120P IXYS FET individuales MOSFET

Fabricante: IXYS
Serie: HiPerFET?? Polar
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 92 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2830 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: IXFP6N120