IXFN50N120SIC IXYS FET individuales MOSFET

Fabricante: IXYS
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 47A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 10mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 100 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1900 pF @ 1000 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-227B
Paquete/Caja: SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base: IXFN50