IXTT1N250HV IXYS FET individuales MOSFET

Fabricante: IXYS
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 2500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 41 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1660 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-268AA
Paquete/Caja: TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base: IXTT1