IXFA4N100Q IXYS FET individuales MOSFET

Fabricante: IXYS
Serie: HiPerFET?? Q Class
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1050 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-263AA (IXFA)
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: IXFA4N100