FDFMA2P853T Fairchild Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 435 pF @ 10 V
Característica FET: Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.): 1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-MicroFET (2x2)
Paquete/Caja: 6-VDFN Exposed Pad