NP161N04TUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 160A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 345 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 20250 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-263-7
Paquete/Caja: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)