FDMS0308CS Fairchild Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 22A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 66 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4225 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PQFN (5x6)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN