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2SK3746 Sanyo FET individuales MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Sanyo
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 380 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3PB
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3

Datasheet

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