Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.4A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 450 pF @ 6 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-SCH
Paquete/Caja: 6-SMD, Flat Leads