FDS6162N7 Fairchild Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 23A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5521 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SO
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)