ECH8402-TL-E onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 28 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1400 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-ECH
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead