RJK60S5DPE-00#J3 Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 27 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1600 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LDPAK
Paquete/Caja: SC-83