IRF630 Harris Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Harris Corporation
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 43 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 800 pF @ 25 V
Característica FET: -
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3