FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 380mA (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 195 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92-3
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)