NP90N04VLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 90A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 135 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6900 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63