2SK3993-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 64A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 88 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4770 pF @ 10 V
Característica FET: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252 (MP-3Z)
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63