FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 31 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2900 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Paquete/Caja: TO-220-3