RJK1003DPP-A0#T2 Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 50A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 59 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4150 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220ABA
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: RJK1003