UPA2810T1L-E1-AY Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 13A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 40 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1860 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paquete/Caja: 8-VDFN Exposed Pad