RJK0701DPP-E0#T2 Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 140 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 10000 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220FP
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack