2SK669-AC onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Box
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 15 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 125°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-SPA
Paquete/Caja: 3-SIP