2SK4080-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 48A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 32 nC @ 12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1670 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252 (MP-3Z)
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63